半导体器件和形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010906289.9

申请日：

2020-09-01

公开(公告)号：

CN112542422B

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

陈彦羽程仲良

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/48 H10D30/62

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422A ,2021-03-23

[2]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

曹淳凯 ;

卢玠甫 ;

周世培 ;

吴尉壮 .

中国专利 :CN111129044A ,2020-05-08

[3]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

陈祈铭 ;

喻中一 ;

陈奎铭 .

中国专利 :CN110875387B ,2024-02-23

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

陈祈铭 ;

喻中一 ;

陈奎铭 .

中国专利 :CN110875387A ,2020-03-10

[5]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN115579341A ,2023-01-06

[6]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN112018061A ,2020-12-01

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

梁顺鑫 ;

王振翰 ;

林耕竹 ;

上野哲嗣 ;

陈婷婷 .

中国专利 :CN113013226A ,2021-06-22

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

宋巍巍 ;

斯帝芬·鲁苏 ;

周淳朴 ;

陈焕能 .

中国专利 :CN113161444B ,2024-04-05

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

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