半导体器件和用于形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910768191.9

申请日：

2019-08-20

公开(公告)号：

CN110875387A

公开(公告)日：

2020-03-10

发明(设计)人：

陈祈铭喻中一陈奎铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190820
2020-03-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

陈祈铭 ;

喻中一 ;

陈奎铭 .

中国专利 :CN110875387B ,2024-02-23

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

程仲良 ;

张毅敏 ;

方子韦 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN112582400B ,2025-01-10

[3]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

程仲良 ;

张毅敏 ;

方子韦 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN112582400A ,2021-03-30

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

E.巴赫尔 ;

J.霍尔茨米勒 ;

H-J.舒尔策 ;

T.施魏因伯克 ;

J.维特博恩 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN104576711A ,2015-04-29

[5]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·施密特 ;

E·勒尔彻 .

中国专利 :CN107093632A ,2017-08-25

[6]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

P·森 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN107068550A ,2017-08-18

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422B ,2025-09-26

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈俊翰 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN113054019B ,2024-08-27

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422A ,2021-03-23

[10]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

贵岛正人 ;

针贝笃史 .

中国专利 :CN100501972C ,2006-09-13

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