形成半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910821775.8

申请日：

2019-09-02

公开(公告)号：

CN111129044A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

曹淳凯卢玠甫周世培吴尉壮

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20190902
2020-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

薛仁智 ;

洪志昌 ;

尹宗凡 ;

邱意为 .

中国专利 :CN110660743A ,2020-01-07

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

[3]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284849B ,2025-05-27

[4]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284849A ,2021-08-20

[5]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

木村雅俊 .

中国专利 :CN105390445A ,2016-03-09

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422B ,2025-09-26

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

江宗宪 ;

黄育智 ;

郭婷婷 ;

戴志轩 ;

吴邦立 ;

曾英诚 ;

赖季晖 ;

刘家宏 ;

蔡豪益 ;

刘重希 ;

余振华 .

中国专利 :CN110957229B ,2020-04-03

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

蔡崴宇 ;

粘富尧 ;

黄宏纬 ;

李昌盛 .

中国专利 :CN110970492A ,2020-04-07

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20

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