半导体器件和形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110195656.3

申请日：

2021-02-19

公开(公告)号：

CN113284849B

公开(公告)日：

2025-05-27

发明(设计)人：

朱峯庆李威养杨丰诚陈燕铭

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/83 H10D62/10 H10D62/13 H10D62/17

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-27	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

薛仁智 ;

洪志昌 ;

尹宗凡 ;

邱意为 .

中国专利 :CN110660743A ,2020-01-07

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284849A ,2021-08-20

[3]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

[4]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

曹淳凯 ;

卢玠甫 ;

周世培 ;

吴尉壮 .

中国专利 :CN111129044A ,2020-05-08

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

苏圣凯 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN112992787B ,2025-09-23

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

蔡崴宇 ;

粘富尧 ;

黄宏纬 ;

李昌盛 .

中国专利 :CN110970492A ,2020-04-07

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

苏圣凯 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN112992787A ,2021-06-18

[10]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

贵岛正人 ;

针贝笃史 .

中国专利 :CN100501972C ,2006-09-13

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