半导体器件和形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910922907.6

申请日：

2019-09-27

公开(公告)号：

CN110970392B

公开(公告)日：

2020-04-07

发明(设计)人：

何嘉玮徐俊伟沈稘翔刘启人林易生郑仰钧洪伟伦陈亮光陈科维

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L23532 H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20190927
2021-12-24	授权	授权
2020-04-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

薛仁智 ;

洪志昌 ;

尹宗凡 ;

邱意为 .

中国专利 :CN110660743A ,2020-01-07

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284849B ,2025-05-27

[3]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284849A ,2021-08-20

[4]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

曹淳凯 ;

卢玠甫 ;

周世培 ;

吴尉壮 .

中国专利 :CN111129044A ,2020-05-08

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

蔡明兴 ;

李亚莲 ;

曾志翰 ;

黄奎文 ;

何冠宏 ;

洪洺炜 ;

郭至诚 ;

赖怡安 ;

陈威廷 .

中国专利 :CN119340272A ,2025-01-21

[6]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

G·马克 .

中国专利 :CN103972072A ,2014-08-06

[7]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

温智廷 ;

韩亚朋 ;

蓝洲 .

中国专利 :CN121194471A ,2025-12-23

[8]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN115579341A ,2023-01-06

[9]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN112018061A ,2020-12-01

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422B ,2025-09-26

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