半导体器件和形成半导体器件方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010155641.X

申请日：

2020-03-09

公开(公告)号：

CN112018061A

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

黄子松曾明鸿林彦良蔡豪益蔡及铭刘重希林志伟何明哲

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23528 H01L2331 H01L2150 H01L2156 H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	公开	公开
2020-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20200309

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN115579341A ,2023-01-06

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

江宗宪 ;

黄育智 ;

郭婷婷 ;

戴志轩 ;

吴邦立 ;

曾英诚 ;

赖季晖 ;

刘家宏 ;

蔡豪益 ;

刘重希 ;

余振华 .

中国专利 :CN110957229B ,2020-04-03

[3]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

郭宏瑞 ;

李明潭 ;

游珽崵 .

中国专利 :CN110970381A ,2020-04-07

[4]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422B ,2025-09-26

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

李苓玮 ;

黄震麟 ;

刘明达 ;

乔福康 ;

周彦彬 ;

罗俊彦 ;

朱则荣 ;

陈文明 ;

刘国洲 .

中国专利 :CN110970396A ,2020-04-07

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

谭伟钧 ;

翁翊轩 ;

程德恩 ;

林咏惠 ;

林玮耿 ;

李威养 ;

粘志鸿 .

中国专利 :CN110970489A ,2020-04-07

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

柳依秀 ;

杨丰诚 ;

李宗霖 ;

李威养 ;

陈燕铭 ;

陈彦廷 .

中国专利 :CN110957367A ,2020-04-03

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284850B ,2025-08-22

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

薛仁智 ;

洪志昌 ;

尹宗凡 ;

邱意为 .

中国专利 :CN110660743A ,2020-01-07

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