半导体器件和形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910913267.2

申请日：

2019-09-25

公开(公告)号：

CN110970489A

公开(公告)日：

2020-04-07

发明(设计)人：

谭伟钧翁翊轩程德恩林咏惠林玮耿李威养粘志鸿

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

陈蒙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190925
2020-04-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

常庆环 ;

刘峻 ;

王猛 ;

高健 ;

汪前莉 .

中国专利 :CN121194470A ,2025-12-23

[2]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN115579341A ,2023-01-06

[3]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN112018061A ,2020-12-01

[4]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422B ,2025-09-26

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

梁顺鑫 ;

王振翰 ;

林耕竹 ;

上野哲嗣 ;

陈婷婷 .

中国专利 :CN113013226A ,2021-06-22

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

宋巍巍 ;

斯帝芬·鲁苏 ;

周淳朴 ;

陈焕能 .

中国专利 :CN113161444B ,2024-04-05

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

江宗宪 ;

黄育智 ;

郭婷婷 ;

戴志轩 ;

吴邦立 ;

曾英诚 ;

赖季晖 ;

刘家宏 ;

蔡豪益 ;

刘重希 ;

余振华 .

中国专利 :CN110957229B ,2020-04-03

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

叶佳灵 ;

陈京玉 .

中国专利 :CN110660844A ,2020-01-07

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