半导体器件和形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910912553.7

申请日：

2019-09-25

公开(公告)号：

CN110957229B

公开(公告)日：

2020-04-03

发明(设计)人：

江宗宪黄育智郭婷婷戴志轩吴邦立曾英诚赖季晖刘家宏蔡豪益刘重希余振华

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2331 H01L2160

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-03	公开	公开
2020-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20190925
2021-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN115579341A ,2023-01-06

[2]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN112018061A ,2020-12-01

[3]

形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

曹淳凯 ;

卢玠甫 ;

周世培 ;

吴尉壮 .

中国专利 :CN111129044A ,2020-05-08

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林 ;

卡斯珀·范德阿福尔特 ;

昆拉德·科内利斯·塔克 ;

雷姆卡·亨里克斯·威廉颂·皮内伯格 ;

奥拉夫·文尼肯 ;

马基恩·戈森斯 .

中国专利 :CN110088037A ,2019-08-02

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112542422B ,2025-09-26

[7]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

梁顺鑫 ;

王振翰 ;

林耕竹 ;

上野哲嗣 ;

陈婷婷 .

中国专利 :CN113013226A ,2021-06-22

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

宋巍巍 ;

斯帝芬·鲁苏 ;

周淳朴 ;

陈焕能 .

中国专利 :CN113161444B ,2024-04-05

[9]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

叶佳灵 ;

陈京玉 .

中国专利 :CN110660844A ,2020-01-07

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