半导体器件的形成方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511181220.3

申请日：

2025-08-22

公开(公告)号：

CN121194470A

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

常庆环刘峻王猛高健汪前莉

申请人：

新存科技（武汉）有限责任公司

申请人地址：

430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534（自贸区武汉片区）

IPC主分类号：

H10B63/10

IPC分类号：

H10B63/00 H10D84/01 H10D84/85

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

韩金涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

高健 ;

李天宇 ;

石俊 ;

殷然 ;

杨红心 ;

陈彬 .

中国专利 :CN121038288A ,2025-11-28

[2]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

刘国强 ;

熊博文 ;

雷威锋 ;

张恒 ;

王恩博 ;

刘峻 .

中国专利 :CN121152219A ,2025-12-16

[3]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

温智廷 ;

韩亚朋 ;

蓝洲 .

中国专利 :CN121194471A ,2025-12-23

[4]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103390560A ,2013-11-13

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

谭伟钧 ;

翁翊轩 ;

程德恩 ;

林咏惠 ;

林玮耿 ;

李威养 ;

粘志鸿 .

中国专利 :CN110970489A ,2020-04-07

[6]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

吴锋 ;

朴相烈 .

中国专利 :CN113078103B ,2021-07-06

[7]

半导体膜的形成方法、半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

薮田久人 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN102341912B ,2015-12-02

[8]

半导体器件及半导体器件形成方法 [P].

骆志炯 ;

郑阳伟 ;

阿图尔·C·阿吉梅拉 .

中国专利 :CN1975990A ,2007-06-06

[9]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN115579341A ,2023-01-06

[10]

半导体器件和形成半导体器件方法 [P].

黄子松 ;

曾明鸿 ;

林彦良 ;

蔡豪益 ;

蔡及铭 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

何明哲 .

中国专利 :CN112018061A ,2020-12-01

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