半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310293438.9

申请日：

2013-07-12

公开(公告)号：

CN103545352A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

冈本康宏井上隆中山达峰根贺亮平金泽全彰宫本广信

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2941

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/41 申请日:20130712 授权公告日:20171208 终止日期:20210712
2014-01-29	公开	公开
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618398844 IPC(主分类):H01L 29/41 专利申请号:2013102934389 申请日:20130712
2017-12-08	授权	授权
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722595413 IPC(主分类):H01L 29/41 专利申请号:2013102934389 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京

共 50 条

[1]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN114649412A ,2022-06-21

[2]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN109585543A ,2019-04-05

[3]

半导体器件 [P].

竹胁利至 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104425617A ,2015-03-18

[4]

半导体器件 [P].

孙涛 ;

张帅 ;

冯家驹 .

中国专利 :CN222674845U ,2025-03-25

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[6]

半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

金峻渊 ;

卓泳助 ;

金在均 ;

金柱成 ;

朴永洙 ;

蔡秀熙 .

中国专利 :CN104576861A ,2015-04-29

[7]

半导体器件 [P].

约瑟夫·尼尔·梅里特 ;

伊格尔·桑金 .

中国专利 :CN102751320B ,2012-10-24

[8]

半导体器件 [P].

金柱成 ;

金峻渊 ;

李在垣 ;

崔孝枝 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN103531612A ,2014-01-22

[9]

半导体器件的半导体衬垫 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104752186B ,2015-07-01

[10]

氮化物半导体器件 [P].

梁嘉进 ;

张海生 ;

单建安 .

中国专利 :CN120730769A ,2025-09-30

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