半导体器件的半导体衬垫

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410848041.6

申请日：

2014-12-29

公开(公告)号：

CN104752186B

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

江国诚王志豪卡洛斯·H.·迪亚兹

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	公开	公开
2018-05-15	授权	授权
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618653462 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014108480416 申请日:20141229

共 50 条

[1]

半导体器件的FIN结构 [P].

江国诚 ;

黄俊嘉 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN104681613B ,2015-06-03

[2]

半导体器件的鳍结构 [P].

陈彦友 ;

陈弘耀 ;

施启元 ;

叶凌彦 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN104733529A ,2015-06-24

[3]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[4]

半导体器件 [P].

约瑟夫·尼尔·梅里特 ;

伊格尔·桑金 .

中国专利 :CN102751320B ,2012-10-24

[5]

半导体器件 [P].

冈本康宏 ;

井上隆 ;

中山达峰 ;

根贺亮平 ;

金泽全彰 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN103545352A ,2014-01-29

[6]

带有有机半导体材料的半导体器件 [P].

Ａ·Ｒ·布朗 ;

Ｄ·Ｍ·迪卢 ;

Ｅ·Ｊ·卢斯 ;

Ｅ·Ｅ·哈文加 .

中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04

[7]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN114649412A ,2022-06-21

[8]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN109585543A ,2019-04-05

[9]

半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片 [P].

张露 ;

黄元琪 ;

温雅楠 ;

吴俊慷 ;

丁泊宁 ;

赵智彪 ;

许俊豪 .

中国专利 :CN117747618A ,2024-03-22

[10]

半导体器件和半导体衬底 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山中伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1210809C ,2002-05-15

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