半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420552826.8

申请日：

2024-03-20

公开(公告)号：

CN222674845U

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

孙涛张帅冯家驹

申请人：

英诺赛科（苏州）半导体有限公司

申请人地址：

215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D64/27

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司 11415

代理人：

张相钦

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

冈本康宏 ;

井上隆 ;

中山达峰 ;

根贺亮平 ;

金泽全彰 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN103545352A ,2014-01-29

[2]

半导体器件 [P].

竹胁利至 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104425617A ,2015-03-18

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[4]

半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

金峻渊 ;

卓泳助 ;

金在均 ;

金柱成 ;

朴永洙 ;

蔡秀熙 .

中国专利 :CN104576861A ,2015-04-29

[5]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN114649412A ,2022-06-21

[6]

半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P].

中野拓真 .

中国专利 :CN109585543A ,2019-04-05

[7]

半导体器件 [P].

金柱成 ;

金峻渊 ;

李在垣 ;

崔孝枝 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN103531612A ,2014-01-22

[8]

氮化物半导体器件 [P].

梁嘉进 ;

张海生 ;

单建安 .

中国专利 :CN120730769A ,2025-09-30

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘勇 ;

赵起越 ;

李长安 ;

吴克平 ;

孙汉萍 .

中国专利 :CN117374102A ,2024-01-09

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN104465743A ,2015-03-25

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