半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310626171.0

申请日：

2013-11-28

公开(公告)号：

CN103871894A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

G·科恩 M·A·古罗恩 A·格里尔 L·希

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

贺月娇;于静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-12	授权	授权
2017-11-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20171027 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2014-06-18	公开	公开
2017-11-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20171027 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583752039 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013106261710 申请日:20131128

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

石哲齐 ;

洪昕扬 ;

杨固峰 ;

温伟源 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN120111953A ,2025-06-06

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307B ,2024-12-20

[4]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[5]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

马义翔 ;

殷立炜 ;

简垲旻 ;

李旻珈 ;

刘国庆 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN120897502A ,2025-11-04

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

中国专利 :CN110176492A ,2019-08-27

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄咏骞 ;

黄泰维 ;

钟鸿钦 ;

李达元 ;

陈建豪 ;

张文 ;

徐志安 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN120390445A ,2025-07-29

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357B ,2024-01-05

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357A ,2021-01-19

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈文进 ;

吴正一 ;

郑有宏 ;

郭人华 ;

刘响 ;

李锦思 .

中国专利 :CN108231685B ,2018-06-29

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