半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411780516.2

申请日：

2024-12-05

公开(公告)号：

CN120111953A

公开(公告)日：

2025-06-06

发明(设计)人：

石哲齐洪昕扬杨固峰温伟源廖思雅

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/85

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-06	公开	公开
2025-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20241205

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307B ,2024-12-20

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

G·科恩 ;

M·A·古罗恩 ;

A·格里尔 ;

L·希 .

中国专利 :CN103871894A ,2014-06-18

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

中国专利 :CN110176492A ,2019-08-27

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357B ,2024-01-05

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357A ,2021-01-19

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈文进 ;

吴正一 ;

郑有宏 ;

郭人华 ;

刘响 ;

李锦思 .

中国专利 :CN108231685B ,2018-06-29

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

张罗衡 ;

苏焕杰 ;

谌俊元 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN119028980A ,2024-11-26

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘思杰 ;

聂俊峰 ;

张惠政 .

中国专利 :CN111128738A ,2020-05-08

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

王志豪 ;

王培宇 ;

黄咸志 ;

余家濠 .

中国专利 :CN119947214A ,2025-05-06

← 1 2 3 4 5 →