半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411568778.2

申请日：

2024-11-05

公开(公告)号：

CN119947214A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

陈冠霖王志豪王培宇黄咸志余家濠

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D64/23 H10D62/10 H10D84/83 B82Y40/00 B82Y30/00

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20241105

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

中国专利 :CN110176492A ,2019-08-27

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

吴志强 ;

马子烜 ;

王志庆 ;

江国诚 .

中国专利 :CN120711812A ,2025-09-26

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄咏骞 ;

黄泰维 ;

钟鸿钦 ;

李达元 ;

陈建豪 ;

张文 ;

徐志安 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN120390445A ,2025-07-29

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357B ,2024-01-05

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357A ,2021-01-19

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈文进 ;

吴正一 ;

郑有宏 ;

郭人华 ;

刘响 ;

李锦思 .

中国专利 :CN108231685B ,2018-06-29

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

石哲齐 ;

洪昕扬 ;

杨固峰 ;

温伟源 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN120111953A ,2025-06-06

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

张罗衡 ;

苏焕杰 ;

谌俊元 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN119028980A ,2024-11-26

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

日本专利 :CN110176492B ,2024-03-01

← 1 2 3 4 5 →