半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010380640.5

申请日：

2020-05-08

公开(公告)号：

CN112242357A

公开(公告)日：

2021-01-19

发明(设计)人：

王培勋陈仕承林群雄王志豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-19	公开	公开
2021-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20200508

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357B ,2024-01-05

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

中国专利 :CN110176492A ,2019-08-27

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

张永哲 ;

赵源锡 ;

张在焄 ;

郑舜文 ;

孙良锈 ;

宋玟晟 .

中国专利 :CN101188239A ,2008-05-28

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

廖翊博 ;

何韦德 ;

锺政庭 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN120187058A ,2025-06-20

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101452886B ,2011-05-11

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈文进 ;

吴正一 ;

郑有宏 ;

郭人华 ;

刘响 ;

李锦思 .

中国专利 :CN108231685B ,2018-06-29

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

石哲齐 ;

洪昕扬 ;

杨固峰 ;

温伟源 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN120111953A ,2025-06-06

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