半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710306130.8

申请日：

2007-09-14

公开(公告)号：

CN101188239A

公开(公告)日：

2008-05-28

发明(设计)人：

张永哲赵源锡张在焄郑舜文孙良锈宋玟晟

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L23522 H01L218239 H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101001986822 IPC(主分类):H01L 27/105 专利申请号:2007103061308 申请公布日:20080528
2008-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

宋长庚 ;

金龙灿 .

中国专利 :CN104952801B ,2015-09-30

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

廖翊博 ;

何韦德 ;

锺政庭 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN120187058A ,2025-06-20

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101452886B ,2011-05-11

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357B ,2024-01-05

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

王培勋 ;

陈仕承 ;

林群雄 ;

王志豪 .

中国专利 :CN112242357A ,2021-01-19

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘思杰 ;

聂俊峰 ;

张惠政 .

中国专利 :CN111128738A ,2020-05-08

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102738167A ,2012-10-17

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

王宝明 ;

陈亮吟 ;

徐玮泽 ;

蔡荣赞 ;

曾雅晴 ;

刘俊毅 .

中国专利 :CN117393503A ,2024-01-12

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘思杰 ;

李旻仓 ;

陈文彦 ;

陈佳政 ;

陈建豪 .

中国专利 :CN120583693A ,2025-09-02

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