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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201110080739.4
申请日：
2011-03-31
公开(公告)号：
CN102738167A
公开(公告)日：
2012-10-17
发明(设计)人：
朱慧珑
尹海洲
骆志炯
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L2949
H01L218234
H01L2128
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
骆苏华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2012-10-17 | 公开 | 公开 |
| 2019-03-15 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/088 登记生效日:20190222 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院微电子研究所 变更后权利人:北京北方华创微电子装备有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号 变更后权利人:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号 变更事项:共同专利权人 变更前权利人:北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 2017-02-22 | 授权 | 授权 |
| 2019-03-15 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/088 变更事项:专利权人 变更前:中国科学院微电子研究所 变更后:中国科学院微电子研究所 变更事项:地址 变更前:100029 北京市朝阳区北土城西路3号 变更后:100029 北京市朝阳区北土城西路3号 变更事项:共同专利权人 变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 变更后:北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 2014-11-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588330652 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2011100807394 申请日:20110331 |