半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110901625.5

申请日：

2021-08-06

公开(公告)号：

CN113707605B

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

马哈维卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯沈泽民

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

马哈维 ;

卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ;

沈泽民 .

中国专利 :CN113707605A ,2021-11-26

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102738167A ,2012-10-17

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN118116873A ,2024-05-31

[4]

半导体器件及其形成方法、半导体结构 [P].

高金凤 ;

钱蔚宏 ;

王西宁 ;

程仁豪 .

中国专利 :CN110610924B ,2019-12-24

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN113345892B ,2025-12-05

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金平 ;

贾德森·R·霍尔特 .

中国专利 :CN1979787A ,2007-06-13

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄咏骞 ;

黄泰维 ;

钟鸿钦 ;

李达元 ;

陈建豪 ;

张文 ;

徐志安 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN120390445A ,2025-07-29

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

李东颖 ;

叶致锴 ;

叶震亚 ;

邱远鸿 ;

刘继文 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN107527801B ,2017-12-29

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