学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

半导体器件及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410165519.9
申请日：
2024-02-05
公开(公告)号：
CN118116873A
公开(公告)日：
2024-05-31
发明(设计)人：
马可·范·达尔
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L21/8238
IPC分类号：
H01L27/092
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-05-31 公开 公开
2024-06-18 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8238申请日:20240205
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
马哈维 ;
卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ;
沈泽民 .
中国专利 :CN113707605A ,2021-11-26
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
朱慧珑 ;
尹海洲 ;
骆志炯 .
中国专利 :CN102738167A ,2012-10-17
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
马哈维 ;
卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ;
沈泽民 .
中国专利 :CN113707605B ,2025-06-17
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
游力蓁 ;
苏焕杰 ;
黄麟淯 ;
庄正吉 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
朱峯庆 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
石哲齐 ;
洪昕扬 ;
杨固峰 ;
温伟源 ;
廖思雅 .
中国专利 :CN120111953A ,2025-06-06
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
刘思杰 ;
聂俊峰 ;
张惠政 .
中国专利 :CN111128738A ,2020-05-08
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
游力蓁 ;
苏焕杰 ;
黄麟淯 ;
庄正吉 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113517280A ,2021-10-19
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
朱峯庆 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN113451307B ,2024-12-20
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
G·科恩 ;
M·A·古罗恩 ;
A·格里尔 ;
L·希 .
中国专利 :CN103871894A ,2014-06-18
12345