半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911044198.2

申请日：

2019-10-30

公开(公告)号：

CN111128738A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

刘思杰聂俊峰张惠政

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L218238 H01L27092 H01L2711 H01L2978

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

桑敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	公开	公开
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20191030

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105826194A ,2016-08-03

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103871888A ,2014-06-18

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102738167A ,2012-10-17

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘思杰 ;

李旻仓 ;

陈文彦 ;

陈佳政 ;

陈建豪 .

中国专利 :CN120583693A ,2025-09-02

[5]

半导体器件及其形成方法、半导体结构 [P].

高金凤 ;

钱蔚宏 ;

王西宁 ;

程仁豪 .

中国专利 :CN110610924B ,2019-12-24

[6]

集成半导体器件及其形成方法 [P].

史蒂文·H.·沃尔德曼 .

中国专利 :CN101179074B ,2008-05-14

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

张永哲 ;

赵源锡 ;

张在焄 ;

郑舜文 ;

孙良锈 ;

宋玟晟 .

中国专利 :CN101188239A ,2008-05-28

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

廖翊博 ;

何韦德 ;

锺政庭 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN120187058A ,2025-06-20

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