集成半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710169218.X

申请日：

2007-11-02

公开(公告)号：

CN101179074B

公开(公告)日：

2008-05-14

发明(设计)人：

史蒂文·H.·沃尔德曼

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2706 H01L23532 H01L21822 H01L21768

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

付建军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/04 登记生效日:20171117 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2010-07-28	授权	授权
2008-05-14	公开	公开
2017-12-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/04 登记生效日:20171117 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘思杰 ;

聂俊峰 ;

张惠政 .

中国专利 :CN111128738A ,2020-05-08

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102738167A ,2012-10-17

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105826194A ,2016-08-03

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

宋长庚 ;

金龙灿 .

中国专利 :CN104952801B ,2015-09-30

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103871888A ,2014-06-18

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

钱仕兵 .

中国专利 :CN112582414B ,2021-03-30

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

张永哲 ;

赵源锡 ;

张在焄 ;

郑舜文 ;

孙良锈 ;

宋玟晟 .

中国专利 :CN101188239A ,2008-05-28

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

吴伟成 .

中国专利 :CN110867445B ,2020-03-06

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