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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910122162.5
申请日：
2019-02-19
公开(公告)号：
CN110176492B
公开(公告)日：
2024-03-01
发明(设计)人：
菅原健太
野濑幸则
申请人：
住友电气工业株式会社
住友电工光电子器件创新株式会社
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01L29/20
IPC分类号：
H01L29/49
H01L21/335
H01L29/778
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
张苏娜;樊晓焕
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-01 | 授权 | 授权 |