半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510372837.3

申请日：

2015-06-30

公开(公告)号：

CN106328519B

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

刘继全

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2906 H01L2920

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702032097 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2015103728373 申请日:20150630
2019-07-02	授权	授权
2017-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

中国专利 :CN110176492A ,2019-08-27

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

菅原健太 ;

野濑幸则 .

日本专利 :CN110176492B ,2024-03-01

[3]

半导体器件的形成方法、晶体管的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103633032B ,2014-03-12

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[5]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

蒋晓钧 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109841573A ,2019-06-04

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106486370A ,2017-03-08

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

李润领 ;

周建华 ;

王昌锋 .

中国专利 :CN105609469A ,2016-05-25

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

张帅 ;

居建华 .

中国专利 :CN104733308B ,2015-06-24

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

伏广才 ;

李志超 .

中国专利 :CN106328579B ,2017-01-11

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