半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310697886.5

申请日：

2013-12-18

公开(公告)号：

CN104733308B

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

张帅居建华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-10	授权	授权
2015-06-24	公开	公开
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617857277 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013106978865 申请日:20131218

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103779221A ,2014-05-07

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

禹国宾 ;

洪中山 .

中国专利 :CN104425379A ,2015-03-18

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701149A ,2015-06-10

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701163B ,2015-06-10

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN106328519B ,2017-01-11

[6]

半导体器件的形成方法、鳍式场效应管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103426765B ,2013-12-04

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

邓浩 ;

陈志刚 ;

黄涛 .

中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102738167A ,2012-10-17

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈奎铭 ;

陈祈铭 ;

喻中一 .

中国专利 :CN113345960B ,2024-07-16

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈奎铭 ;

陈祈铭 ;

喻中一 .

中国专利 :CN113345960A ,2021-09-03

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