半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210406255.9

申请日：

2012-10-22

公开(公告)号：

CN103779221A

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582740293 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012104062559 申请日:20121022
2018-07-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20140507
2014-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

禹国宾 ;

洪中山 .

中国专利 :CN104425379A ,2015-03-18

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

张帅 ;

居建华 .

中国专利 :CN104733308B ,2015-06-24

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701149A ,2015-06-10

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701163B ,2015-06-10

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106486370A ,2017-03-08

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109979820A ,2019-07-05

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

周海锋 .

中国专利 :CN105590860A ,2016-05-18

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110021662B ,2019-07-16

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109994547B ,2019-07-09

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103545179B ,2014-01-29

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