半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410617386.0

申请日：

2014-11-05

公开(公告)号：

CN105590860A

公开(公告)日：

2016-05-18

发明(设计)人：

周海锋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡杰赟;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665085188 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014106173860 申请日:20141105
2016-05-18	公开	公开
2020-01-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160518

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106486370A ,2017-03-08

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103779221A ,2014-05-07

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109979820A ,2019-07-05

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094192A ,2013-05-08

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104681420B ,2015-06-03

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN105826264B ,2016-08-03

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN105575815A ,2016-05-11

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110021662B ,2019-07-16

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

邓浩 ;

陈志刚 ;

黄涛 .

中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13

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