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半导体器件的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201510372837.3
申请日：
2015-06-30
公开(公告)号：
CN106328519B
公开(公告)日：
2017-01-11
发明(设计)人：
刘继全
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21335
IPC分类号：
H01L2906
H01L2920
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-02-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702032097 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2015103728373 申请日:20150630 |
| 2019-07-02 | 授权 | 授权 |
| 2017-01-11 | 公开 | 公开 |