半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310232121.4

申请日：

2013-06-09

公开(公告)号：

CN104241355A

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

于书坤韦庆松

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-13	授权	授权
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595678700 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013102321214 申请日:20130609
2014-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

傅丰华 ;

俞少峰 .

中国专利 :CN104064468A ,2014-09-24

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡国辉 .

中国专利 :CN105702724A ,2016-06-22

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈文进 ;

吴正一 ;

郑有宏 ;

郭人华 ;

刘响 ;

李锦思 .

中国专利 :CN108231685B ,2018-06-29

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

林千 ;

李堃毓 ;

沙哈吉·B.摩尔 ;

李承翰 ;

张世杰 .

中国专利 :CN110970487A ,2020-04-07

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

马哈维 ;

卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ;

沈泽民 .

中国专利 :CN113707605A ,2021-11-26

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102738167A ,2012-10-17

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280A ,2021-10-19

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN118116873A ,2024-05-31

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

马哈维 ;

卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ;

沈泽民 .

中国专利 :CN113707605B ,2025-06-17

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