半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910909568.8

申请日：

2019-09-25

公开(公告)号：

CN110970487A

公开(公告)日：

2020-04-07

发明(设计)人：

林千李堃毓沙哈吉·B.摩尔李承翰张世杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2908 H01L2910 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190925
2020-04-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡国辉 .

中国专利 :CN105702724A ,2016-06-22

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈文进 ;

吴正一 ;

郑有宏 ;

郭人华 ;

刘响 ;

李锦思 .

中国专利 :CN108231685B ,2018-06-29

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘家助 ;

林立凯 .

中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

傅丰华 ;

俞少峰 .

中国专利 :CN104064468A ,2014-09-24

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

张峰铭 ;

赖高廷 ;

叶宇婕 ;

赖谚澄 .

中国专利 :CN120711807A ,2025-09-26

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN104241355A ,2014-12-24

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520B ,2024-06-07

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

林群雄 ;

吴忠政 ;

卡洛斯·H·迪亚兹 ;

王志豪 ;

谢文兴 ;

许义明 .

中国专利 :CN107039278A ,2017-08-11

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