半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510731491.5

申请日：

2025-06-03

公开(公告)号：

CN120711807A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

张峰铭赖高廷叶宇婕赖谚澄

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250603

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

熊德智 ;

吴俊德 ;

王鵬 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN113948472A ,2022-01-18

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

高琬贻 ;

王俊尧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120711806A ,2025-09-26

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

林千 ;

李堃毓 ;

沙哈吉·B.摩尔 ;

李承翰 ;

张世杰 .

中国专利 :CN110970487A ,2020-04-07

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘家助 ;

林立凯 .

中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐崇威 ;

江国诚 ;

黄懋霖 ;

朱龙琨 ;

余佳霓 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN114078771A ,2022-02-22

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈宪伟 ;

郑心圃 .

中国专利 :CN118712156A ,2024-09-27

[7]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林育如 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120302696A ,2025-07-11

[8]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

许宗翰 ;

陈柏成 ;

邱冠璋 ;

李文龙 ;

吴仲强 .

中国专利 :CN120676652A ,2025-09-19

[9]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

林育樟 ;

刘思杰 ;

吴浚宏 ;

陈亮吟 ;

徐志安 .

中国专利 :CN119730281A ,2025-03-28

[10]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

马义翔 ;

殷立炜 ;

简垲旻 ;

李旻珈 ;

刘国庆 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN120897502A ,2025-11-04

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