半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110882483.2

申请日：

2021-08-02

公开(公告)号：

CN114078771A

公开(公告)日：

2022-02-22

发明(设计)人：

徐崇威江国诚黄懋霖朱龙琨余佳霓程冠伦王志豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20210802
2022-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨震 ;

赵晓燕 ;

周川淼 .

中国专利 :CN111384144A ,2020-07-07

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨震 ;

赵晓燕 ;

周川淼 .

中国专利 :CN111384144B ,2024-01-26

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈益群 ;

贾成涛 ;

施云生 ;

孙少芳 ;

吕刚 .

中国专利 :CN117894847A ,2024-04-16

[4]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

许宗翰 ;

陈柏成 ;

邱冠璋 ;

李文龙 ;

吴仲强 .

中国专利 :CN120676652A ,2025-09-19

[5]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

马义翔 ;

殷立炜 ;

简垲旻 ;

李旻珈 ;

刘国庆 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN120897502A ,2025-11-04

[6]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN119108425A ,2024-12-10

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 .

中国专利 :CN113745221A ,2021-12-03

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

锺昀晏 ;

郑兆钦 ;

简昭欣 .

中国专利 :CN114188224A ,2022-03-15

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 .

中国专利 :CN113745223A ,2021-12-03

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