半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811616732.8

申请日：

2018-12-27

公开(公告)号：

CN111384144A

公开(公告)日：

2020-07-07

发明(设计)人：

杨震赵晓燕周川淼

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2908 H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-07	公开	公开
2020-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20181227

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨震 ;

赵晓燕 ;

周川淼 .

中国专利 :CN111384144B ,2024-01-26

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈益群 ;

贾成涛 ;

施云生 ;

孙少芳 ;

吕刚 .

中国专利 :CN117894847A ,2024-04-16

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐崇威 ;

江国诚 ;

黄懋霖 ;

朱龙琨 ;

余佳霓 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN114078771A ,2022-02-22

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103779198A ,2014-05-07

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107785265B ,2018-03-09

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110021662B ,2019-07-16

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

邓浩 ;

陈志刚 ;

黄涛 .

中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109830438B ,2019-05-31

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109994547B ,2019-07-09

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