半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111145868.7

申请日：

2021-09-28

公开(公告)号：

CN114188224A

公开(公告)日：

2022-03-15

发明(设计)人：

锺昀晏郑兆钦简昭欣

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L29788

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210928
2022-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐崇威 ;

江国诚 ;

黄懋霖 ;

朱龙琨 ;

余佳霓 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN114078771A ,2022-02-22

[3]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

黄懋霖 ;

朱龙琨 ;

徐崇威 ;

余佳霓 ;

江国诚 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113299733B ,2024-04-30

[4]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

黄懋霖 ;

朱龙琨 ;

徐崇威 ;

余佳霓 ;

江国诚 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113299733A ,2021-08-24

[5]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

王志豪 ;

陈冠霖 ;

黄咸志 ;

余家濠 ;

王培宇 .

中国专利 :CN119744000A ,2025-04-01

[6]

半导体器件及其形成方法、半导体存储器器件 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540249A ,2021-10-22

[7]

半导体器件及其形成方法、半导体存储器器件 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540249B ,2024-09-06

[8]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

朱家宏 ;

王菘豊 ;

梁顺鑫 ;

张旭凯 ;

时定康 ;

洪宗佑 ;

蔡邦彦 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN113488465B ,2025-07-01

[9]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

朱家宏 ;

王菘豊 ;

梁顺鑫 ;

张旭凯 ;

时定康 ;

洪宗佑 ;

蔡邦彦 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN113488465A ,2021-10-08

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105336793B ,2016-02-17

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