半导体器件结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311777476.1

申请日：

2023-12-22

公开(公告)号：

CN119108425A

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

林政颐陈书涵徐志安

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/10 H01L29/06 H01L21/336 H01L21/28

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

桑敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231222
2024-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

许宗翰 ;

陈柏成 ;

邱冠璋 ;

李文龙 ;

吴仲强 .

中国专利 :CN120676652A ,2025-09-19

[2]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

马义翔 ;

殷立炜 ;

简垲旻 ;

李旻珈 ;

刘国庆 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN120897502A ,2025-11-04

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐崇威 ;

江国诚 ;

黄懋霖 ;

朱龙琨 ;

余佳霓 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN114078771A ,2022-02-22

[4]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

林育樟 ;

刘思杰 ;

吴浚宏 ;

陈亮吟 ;

徐志安 .

中国专利 :CN119730281A ,2025-03-28

[5]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

林育樟 ;

何柏慷 ;

陈亮吟 ;

黄才育 ;

徐志安 .

中国专利 :CN119317175A ,2025-01-14

[6]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

陈文彦 ;

李旻仓 ;

陈亮吟 ;

徐志安 ;

陈佳政 .

中国专利 :CN119451204A ,2025-02-14

[7]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

张慕杰 ;

林文凯 ;

蔡依芸 ;

张哲豪 ;

黄泰钧 ;

李威养 ;

徐志安 .

中国专利 :CN120786948A ,2025-10-14

[8]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

朱家宏 ;

王菘豊 ;

梁顺鑫 ;

张旭凯 ;

时定康 ;

洪宗佑 ;

蔡邦彦 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN113488465B ,2025-07-01

[9]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

朱家宏 ;

王菘豊 ;

梁顺鑫 ;

张旭凯 ;

时定康 ;

洪宗佑 ;

蔡邦彦 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN113488465A ,2021-10-08

[10]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林育如 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120302696A ,2025-07-11

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