半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110632271.9

申请日：

2021-06-07

公开(公告)号：

CN113948472A

公开(公告)日：

2022-01-18

发明(设计)人：

熊德智吴俊德王鵬林焕哲

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

陈蒙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20210607
2022-01-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

张峰铭 ;

赖高廷 ;

叶宇婕 ;

赖谚澄 .

中国专利 :CN120711807A ,2025-09-26

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

高汉杰 ;

赵杰 ;

宋伟基 .

中国专利 :CN104752179A ,2015-07-01

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

林士尧 ;

吴沛修 ;

王志平 ;

林志翰 ;

林志忠 ;

周昀亭 ;

吴振宇 .

中国专利 :CN113224007A ,2021-08-06

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

王肇仪 ;

古进誉 ;

吕文雄 ;

毛隆凯 ;

郑明达 .

中国专利 :CN114572929B ,2025-02-28

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898B ,2024-09-10

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

王肇仪 ;

古进誉 ;

吕文雄 ;

毛隆凯 ;

郑明达 .

中国专利 :CN114572929A ,2022-06-03

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

高琬贻 ;

柯忠祁 .

中国专利 :CN111211088A ,2020-05-29

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐崇威 ;

江国诚 ;

黄懋霖 ;

朱龙琨 ;

余佳霓 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN114078771A ,2022-02-22

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

许家豪 ;

洪建玮 ;

丁国强 ;

叶松峯 .

中国专利 :CN117438420A ,2024-01-23

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898A ,2021-08-20

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