学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

半导体器件及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202210059325.1
申请日：
2022-01-19
公开(公告)号：
CN114572929A
公开(公告)日：
2022-06-03
发明(设计)人：
王肇仪 古进誉 吕文雄 毛隆凯 郑明达
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
B81B702
IPC分类号：
B81C100
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-03 公开 公开
2022-06-21 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/02 申请日:20220119
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王肇仪 ;
古进誉 ;
吕文雄 ;
毛隆凯 ;
郑明达 .
中国专利 :CN114572929B ,2025-02-28
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
熊德智 ;
吴俊德 ;
王鵬 ;
林焕哲 .
中国专利 :CN113948472A ,2022-01-18
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈卓凡 .
中国专利 :CN108735807B ,2018-11-02
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN109980003B ,2019-07-05
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
钱仕兵 .
中国专利 :CN112582414B ,2021-03-30
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
汪红红 ;
洪纪伦 ;
吴宗祐 ;
林宗贤 .
中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王潇 ;
孔云龙 .
中国专利 :CN109935548B ,2019-06-25
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周鸣 .
中国专利 :CN105206598B ,2015-12-30
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN109950312A ,2019-06-28
12345