半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710257912.0

申请日：

2017-04-19

公开(公告)号：

CN108735807B

公开(公告)日：

2018-11-02

发明(设计)人：

陈卓凡

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	公开	公开
2018-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20170419
2022-04-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

钱仕兵 .

中国专利 :CN112582414B ,2021-03-30

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101452886B ,2011-05-11

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

方明旭 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115642087A ,2023-01-24

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110098151A ,2019-08-06

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109309006A ,2019-02-05

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵星 .

中国专利 :CN101593771A ,2009-12-02

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109980003B ,2019-07-05

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

王潇 ;

孔云龙 .

中国专利 :CN109935548B ,2019-06-25

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