半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810113665.8

申请日：

2008-05-29

公开(公告)号：

CN101593771A

公开(公告)日：

2009-12-02

发明(设计)人：

赵星

申请人：

申请人地址：

100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-02	公开	公开
2011-05-04	授权	授权
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20080529 授权公告日:20110504 终止日期:20190529

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN108735807B ,2018-11-02

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101452886B ,2011-05-11

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

方明旭 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115642087A ,2023-01-24

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110098151A ,2019-08-06

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109309006A ,2019-02-05

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109980003B ,2019-07-05

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

钱仕兵 .

中国专利 :CN112582414B ,2021-03-30

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

王潇 ;

孔云龙 .

中国专利 :CN109935548B ,2019-06-25

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