半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110071562.5

申请日：

2021-01-19

公开(公告)号：

CN113224007A

公开(公告)日：

2021-08-06

发明(设计)人：

林士尧吴沛修王志平林志翰林志忠周昀亭吴振宇

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

陈蒙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20210119
2021-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898B ,2024-09-10

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

熊德智 ;

吴俊德 ;

王鵬 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN113948472A ,2022-01-18

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

高琬贻 ;

柯忠祁 .

中国专利 :CN111211088A ,2020-05-29

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

许家豪 ;

洪建玮 ;

丁国强 ;

叶松峯 .

中国专利 :CN117438420A ,2024-01-23

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898A ,2021-08-20

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

O·布兰克 ;

U·希勒 ;

M·罗希 ;

W·里格 .

中国专利 :CN101572236A ,2009-11-04

[7]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

李东颖 ;

黄玉莲 .

中国专利 :CN104051527B ,2014-09-17

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN108735807B ,2018-11-02

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109980003B ,2019-07-05

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