半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110124261.4

申请日：

2021-01-29

公开(公告)号：

CN113284898A

公开(公告)日：

2021-08-20

发明(设计)人：

马礼修林仲德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20210129

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898B ,2024-09-10

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520B ,2024-06-07

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

高汉杰 ;

赵杰 ;

宋伟基 .

中国专利 :CN104752179A ,2015-07-01

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

林士尧 ;

吴沛修 ;

王志平 ;

林志翰 ;

林志忠 ;

周昀亭 ;

吴振宇 .

中国专利 :CN113224007A ,2021-08-06

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

熊德智 ;

吴俊德 ;

王鵬 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN113948472A ,2022-01-18

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

卜伟海 ;

康劲 .

中国专利 :CN104681403A ,2015-06-03

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

高琬贻 ;

柯忠祁 .

中国专利 :CN111211088A ,2020-05-29

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

高超 ;

江红 ;

王哲献 .

中国专利 :CN103811307A ,2014-05-21

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

许家豪 ;

洪建玮 ;

丁国强 ;

叶松峯 .

中国专利 :CN117438420A ,2024-01-23

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