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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311009778.4
申请日：
2023-08-11
公开(公告)号：
CN117438420A
公开(公告)日：
2024-01-23
发明(设计)人：
许家豪
洪建玮
丁国强
叶松峯
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L25/16
IPC分类号：
H01L23/31
H01L23/528
H01L23/522
H01L23/538
H01L21/60
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 25/16申请日:20230811 |
| 2024-01-23 | 公开 | 公开 |