半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411560973.0

申请日：

2024-11-04

公开(公告)号：

CN119943753A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

谢怡姗黄镇球吴于贝沈香谷陈殿豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/538

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20241104
2025-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

李昇 ;

金星 .

中国专利 :CN115346923A ,2022-11-15

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101452886B ,2011-05-11

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103137545A ,2013-06-05

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

许家豪 ;

洪建玮 ;

丁国强 ;

叶松峯 .

中国专利 :CN117438420A ,2024-01-23

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

林建勋 .

中国专利 :CN119447058A ,2025-02-14

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

周智超 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

蔡庆威 ;

张尚文 .

中国专利 :CN119517845A ,2025-02-25

[7]

半导体器件形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103117247A ,2013-05-22

[8]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN113539944A ,2021-10-22

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN108735807B ,2018-11-02

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

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