半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911053157.X

申请日：

2019-10-31

公开(公告)号：

CN111211088A

公开(公告)日：

2020-05-29

发明(设计)人：

高琬贻柯忠祁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21285 H01L21336 H01L218234 C23C1656 C23C16455 C23C1640 C23C1622 C23C1604

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

陈蒙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20191031
2020-05-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

陈文彦 ;

李旻仓 ;

陈亮吟 ;

徐志安 ;

陈佳政 .

中国专利 :CN119451204A ,2025-02-14

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110729341B ,2024-01-26

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

林士尧 ;

吴沛修 ;

王志平 ;

林志翰 ;

林志忠 ;

周昀亭 ;

吴振宇 .

中国专利 :CN113224007A ,2021-08-06

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110729341A ,2020-01-24

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

霍宗亮 ;

徐伟 ;

王猛 ;

周文斌 ;

李贝贝 ;

袁彬 .

中国专利 :CN121040237A ,2025-11-28

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898B ,2024-09-10

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

熊德智 ;

吴俊德 ;

王鵬 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN113948472A ,2022-01-18

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

许家豪 ;

洪建玮 ;

丁国强 ;

叶松峯 .

中国专利 :CN117438420A ,2024-01-23

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898A ,2021-08-20

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

王文博 ;

唐粕人 ;

卜伟海 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN110034067A ,2019-07-19

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