半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510727315.4

申请日：

2025-06-03

公开(公告)号：

CN120711805A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

刘家助林立凯

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/85

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250603

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

林文凯 ;

程德恩 ;

张哲豪 ;

徐志安 ;

卢永诚 .

中国专利 :CN115440792A ,2022-12-06

[2]

功率半导体器件及其形成方法 [P].

郑大燮 ;

刘博 ;

司徒道海 .

中国专利 :CN106158955A ,2016-11-23

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

吕育玮 ;

佐野谦一 ;

林执中 ;

李芳苇 ;

匡佳谦 ;

罗伊辰 ;

林佛儒 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN118983312A ,2024-11-19

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周智超 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

蔡庆威 .

中国专利 :CN119894076A ,2025-04-25

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

林千 ;

李堃毓 ;

沙哈吉·B.摩尔 ;

李承翰 ;

张世杰 .

中国专利 :CN110970487A ,2020-04-07

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

龙俊名 ;

林颂恩 .

中国专利 :CN120676653A ,2025-09-19

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

林经祥 ;

林耕竹 ;

郑双铭 ;

蔡腾群 ;

彭辞修 ;

颜甫庭 .

中国专利 :CN109599438B ,2019-04-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

潘冠廷 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN121240512A ,2025-12-30

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

张峰铭 ;

赖高廷 ;

叶宇婕 ;

赖谚澄 .

中国专利 :CN120711807A ,2025-09-26

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

姚茜甯 ;

蔡佳澄 ;

张荣宏 ;

黄禹轩 ;

陈豪育 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN120091613A ,2025-06-03

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