半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411013006.2

申请日：

2024-07-26

公开(公告)号：

CN118983312A

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

吕育玮佐野谦一林执中李芳苇匡佳谦罗伊辰林佛儒林立德林斌彦

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L21/8238 H01L29/06 H01L29/49

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-19	公开	公开
2024-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/092申请日:20240726

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

吴志强 ;

马子烜 ;

王志庆 ;

江国诚 .

中国专利 :CN120711812A ,2025-09-26

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

萧宜瑄 ;

周孟翰 ;

林建佑 ;

张玮廷 ;

张添舜 ;

管金仪 ;

刘书豪 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118039696A ,2024-05-14

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

龙俊名 ;

林颂恩 .

中国专利 :CN120676653A ,2025-09-19

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘家助 ;

林立凯 .

中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

姚茜甯 ;

蔡佳澄 ;

张荣宏 ;

黄禹轩 ;

陈豪育 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN120091613A ,2025-06-03

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

谌俊元 ;

苏焕杰 ;

蔡庆威 ;

张尚文 ;

邱奕勋 ;

王志豪 .

中国专利 :CN117393565A ,2024-01-12

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑嵘健 ;

陈冠霖 ;

朱熙甯 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN119947225A ,2025-05-06

[8]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

翁圣勋 ;

张世杰 .

中国专利 :CN119789476A ,2025-04-08

[9]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

柯俊名 ;

李威养 ;

张哲纶 ;

赖柏宇 .

中国专利 :CN120692910A ,2025-09-23

[10]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

冯家馨 .

中国专利 :CN121013361A ,2025-11-25

← 1 2 3 4 5 →