半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510133706.3

申请日：

2025-02-06

公开(公告)号：

CN120091613A

公开(公告)日：

2025-06-03

发明(设计)人：

姚茜甯蔡佳澄张荣宏黄禹轩陈豪育江国诚王志豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/01 H10D30/62 H10D84/85 H10D84/03

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250206
2025-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

吕育玮 ;

佐野谦一 ;

林执中 ;

李芳苇 ;

匡佳谦 ;

罗伊辰 ;

林佛儒 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN118983312A ,2024-11-19

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘家助 ;

林立凯 .

中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

王志豪 ;

王培宇 ;

黄咸志 ;

余家濠 .

中国专利 :CN119947214A ,2025-05-06

[4]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

翁圣勋 ;

张世杰 .

中国专利 :CN119789476A ,2025-04-08

[5]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

林育樟 ;

刘思杰 ;

吴浚宏 ;

陈亮吟 ;

徐志安 .

中国专利 :CN119730281A ,2025-03-28

[6]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

林育樟 ;

何柏慷 ;

陈亮吟 ;

黄才育 ;

徐志安 .

中国专利 :CN119317175A ,2025-01-14

[7]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

陈文彦 ;

李旻仓 ;

陈亮吟 ;

徐志安 ;

陈佳政 .

中国专利 :CN119451204A ,2025-02-14

[8]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

冯家馨 .

中国专利 :CN121013361A ,2025-11-25

[9]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

范韵如 ;

张罗衡 ;

苏焕杰 ;

王志豪 .

中国专利 :CN121240519A ,2025-12-30

[10]

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

朱家宏 ;

王菘豊 ;

梁顺鑫 ;

张旭凯 ;

时定康 ;

洪宗佑 ;

蔡邦彦 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN113488465B ,2025-07-01

← 1 2 3 4 5 →