半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311058239.X

申请日：

2023-08-22

公开(公告)号：

CN117393565A

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

谌俊元苏焕杰蔡庆威张尚文邱奕勋王志豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L21/8234

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/088申请日:20230822
2024-01-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

吕育玮 ;

佐野谦一 ;

林执中 ;

李芳苇 ;

匡佳谦 ;

罗伊辰 ;

林佛儒 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN118983312A ,2024-11-19

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

吴志强 ;

马子烜 ;

王志庆 ;

江国诚 .

中国专利 :CN120711812A ,2025-09-26

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

萧宜瑄 ;

周孟翰 ;

林建佑 ;

张玮廷 ;

张添舜 ;

管金仪 ;

刘书豪 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118039696A ,2024-05-14

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

龙俊名 ;

林颂恩 .

中国专利 :CN120676653A ,2025-09-19

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑嵘健 ;

陈冠霖 ;

朱熙甯 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN119947225A ,2025-05-06

[6]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

柯俊名 ;

李威养 ;

张哲纶 ;

赖柏宇 .

中国专利 :CN120692910A ,2025-09-23

[7]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

冯家馨 .

中国专利 :CN121013361A ,2025-11-25

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄咏骞 ;

黄泰维 ;

钟鸿钦 ;

李达元 ;

陈建豪 ;

张文 ;

徐志安 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN120390445A ,2025-07-29

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘家助 ;

林立凯 .

中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

王志豪 ;

王培宇 ;

黄咸志 ;

余家濠 .

中国专利 :CN119947214A ,2025-05-06

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