半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511253136.8

申请日：

2025-09-03

公开(公告)号：

CN121240512A

公开(公告)日：

2025-12-30

发明(设计)人：

潘冠廷江国诚王志豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

周智超 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

蔡庆威 .

中国专利 :CN119894076A ,2025-04-25

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517282B ,2024-12-24

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘家助 ;

林立凯 .

中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

胡芳瑄 ;

吴振诚 ;

黄彦钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120813040A ,2025-10-17

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

何韦德 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN118231406A ,2024-06-21

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517282A ,2021-10-19

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨柏峰 ;

杨世海 ;

贾汉中 ;

王圣祯 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113517294A ,2021-10-19

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

张荣宏 ;

庄宗翰 ;

张复成 ;

陈仕承 ;

蔡佳澄 ;

江国诚 ;

王志豪 ;

蓝文廷 .

中国专利 :CN118156309A ,2024-06-07

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

许晋豪 ;

郑安皓 ;

林彦良 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN119028947A ,2024-11-26

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