半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510810015.2

申请日：

2025-06-17

公开(公告)号：

CN120813040A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

胡芳瑄吴振诚黄彦钧李资良

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250617
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

龙俊名 ;

林颂恩 .

中国专利 :CN120676653A ,2025-09-19

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105826194A ,2016-08-03

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄咏骞 ;

黄泰维 ;

钟鸿钦 ;

李达元 ;

陈建豪 ;

张文 ;

徐志安 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN120390445A ,2025-07-29

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

潘冠廷 .

中国专利 :CN109427673B ,2019-03-05

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

潘冠廷 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN121240512A ,2025-12-30

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

G·科恩 ;

M·A·古罗恩 ;

A·格里尔 ;

L·希 .

中国专利 :CN103871894A ,2014-06-18

[7]

形成半导体器件的方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

郭玳榕 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 .

中国专利 :CN121240480A ,2025-12-30

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

张荣宏 ;

庄宗翰 ;

张复成 ;

陈仕承 ;

蔡佳澄 ;

江国诚 ;

王志豪 ;

蓝文廷 .

中国专利 :CN118156309A ,2024-06-07

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

吴志强 ;

马子烜 ;

王志庆 ;

江国诚 .

中国专利 :CN120711812A ,2025-09-26

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